透明导电性薄膜及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180062582.0
申请日
2011-12-14
公开(公告)号
CN103282539A
公开(公告)日
2013-09-04
发明(设计)人
梶原大辅 梨木智刚
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
C23C1408
IPC分类号
C23C1458 G06F3041 G06F3045 H01B514 H01B1300
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
山崎由佳 ;
村冈阳子 ;
待永广宣 ;
梨木智刚 ;
宫崎司 .
中国专利 :CN103314127A ,2013-09-18
[2]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
川上梨恵 ;
梨木智刚 ;
藤野望 ;
佐佐和明 ;
待永广宣 ;
黑濑爱美 ;
松田知也 .
中国专利 :CN110033879A ,2019-07-19
[3]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
山崎由佳 ;
村冈阳子 ;
待永广宣 ;
梨木智刚 ;
宫崎司 .
中国专利 :CN105070353A ,2015-11-18
[4]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
川上梨恵 ;
梨木智刚 ;
藤野望 ;
佐佐和明 ;
待永广宣 ;
黑濑爱美 ;
松田知也 .
中国专利 :CN105637111A ,2016-06-01
[5]
透明导电性薄膜 [P]. 
梶原大辅 ;
藤野望 .
中国专利 :CN111508640A ,2020-08-07
[6]
非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法 [P]. 
矢野孝伸 ;
成田悠 ;
西嶋仁志 ;
碓井圭太 ;
鹰尾宽行 .
中国专利 :CN108352218B ,2018-07-31
[7]
透明导电性薄膜 [P]. 
宫本幸大 ;
佐佐和明 ;
待永广宣 ;
上田恵梨 ;
黑瀬爱美 ;
梨木智刚 .
中国专利 :CN105473756A ,2016-04-06
[8]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
田口祐介 ;
大本慎也 ;
坂口雅史 .
中国专利 :CN109155166A ,2019-01-04
[9]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
山崎由佳 ;
梨木智刚 ;
菅原英男 ;
待永广宣 ;
佐佐木惠梨 .
中国专利 :CN102985585B ,2013-03-20
[10]
透明导电性薄膜及其制造方法 [P]. 
酒井和也 ;
松本圭祐 ;
河野文彦 ;
安藤豪彦 .
中国专利 :CN111194471A ,2020-05-22