大量制备高电导率石墨烯的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210118592.8

申请日：

2012-04-23

公开(公告)号：

CN102642829A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

赵宏滨潘兰英徐甲强董晓雯邢思忆

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C01B3104

IPC分类号：

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333913684 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012101185928 申请日:20120423
2012-08-22	公开	公开
2014-12-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708221332 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2012101185928 申请公布日:20120822

共 50 条

[1]

一种高电导率石墨烯的制备方法 [P].

张小英 .

中国专利 :CN104229786A ,2014-12-24

[2]

一种高电导率石墨烯、制备方法及其用途 [P].

智林杰 ;

张涛麟 ;

杨琪 ;

沈雨荻 .

中国专利 :CN110054176A ,2019-07-26

[3]

一种高电导率的石墨烯材料的制备方法 [P].

陶岩华 .

中国专利 :CN104629049A ,2015-05-20

[4]

一种高电导率石墨烯的制备方法 [P].

林耀朋 ;

张旭 ;

吴军 .

中国专利 :CN103407996A ,2013-11-27

[5]

高电导率氮掺杂石墨烯的快速制备方法 [P].

陈丽 ;

孟雅雯 ;

张明霞 ;

李娜 .

中国专利 :CN106276885B ,2017-01-04

[6]

基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法 [P].

陈国华 ;

刘飞翔 ;

邱欣斌 ;

董菁 ;

陈丹青 ;

黄剑华 .

中国专利 :CN107221387A ,2017-09-29

[7]

一种水溶性高电导率石墨烯的制备方法 [P].

李晓琳 ;

陈伟 ;

张亮 ;

龚涛 .

中国专利 :CN113501513A ,2021-10-15

[8]

一种高导热高电导率的石墨烯电磁屏蔽薄膜 [P].

王梓轩 ;

王哲 ;

王子涵 .

中国专利 :CN115056546A ,2022-09-16

[9]

一种高电导率硫掺杂石墨烯的快速制备方法 [P].

陈丽 ;

孟雅雯 ;

张明霞 ;

李娜 .

中国专利 :CN106587020B ,2017-04-26

[10]

一种高电导率的石墨烯/银纳米复合材料的制备方法 [P].

韩璐 ;

刘成梅 ;

赵玉霞 ;

危岩 ;

李路海 ;

魏先福 .

中国专利 :CN103639421A ,2014-03-19

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