泄漏电流降低装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180047842.7

申请日：

2011-06-16

公开(公告)号：

CN103155388B

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

酒井拓也东圣

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H02M144

IPC分类号：

H02M112

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙蕾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	公开	公开
2016-02-17	授权	授权
2013-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101490729039 IPC(主分类):H02M 1/44 专利申请号:2011800478427 申请日:20110616

共 50 条

[1]

泄漏电流降低装置 [P].

酒井拓也 ;

东圣 .

中国专利 :CN102844975B ,2012-12-26

[2]

漏电流降低装置 [P].

东圣 ;

酒井拓也 .

中国专利 :CN102342010A ,2012-02-01

[3]

高频电流降低装置 [P].

酒井拓也 ;

东圣 .

中国专利 :CN104081640A ,2014-10-01

[4]

降低泄漏电流的电路装置 [P].

J·贝尔托德 ;

M·埃瑟勒 ;

M·埃贝尔莱恩 .

中国专利 :CN1301430A ,2001-06-27

[5]

检测泄漏电流 [P].

石亮 ;

王刚 ;

李康 .

:CN121176153A ,2025-12-19

[6]

泄漏电流采集装置 [P].

吴清 ;

黄松 ;

王思捷 ;

梁亚峰 ;

全业生 .

中国专利 :CN205374588U ,2016-07-06

[7]

电子装置中的泄漏电流降低 [P].

赤松广志 ;

南基俊 ;

J·D·波特 .

中国专利 :CN111261202A ,2020-06-09

[8]

降低SRAM泄漏电流的方法 [P].

曹玉荣 ;

田志 .

中国专利 :CN118382285A ,2024-07-23

[9]

降低位线的泄漏电流 [P].

J·J·吴 ;

J·E·拉奇曼 ;

D·R·维斯 .

中国专利 :CN1937076A ,2007-03-28

[10]

泄漏电流测量装置 [P].

张晓义 ;

陈方东 ;

赵雪松 ;

赵波 ;

果淼 ;

吴淘 ;

李世明 ;

贾剑波 ;

于文博 ;

闫玉鑫 ;

雷明 ;

单春文 ;

郭宏伟 .

中国专利 :CN204595060U ,2015-08-26

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