薄膜晶体管器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910115725.8

申请日：

2019-02-15

公开(公告)号：

CN109860059B

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

李金明

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

H01L2134

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300

代理人：

黄威

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/34 变更事项:专利权人变更前:深圳市华星光电技术有限公司变更后:TCL华星光电技术有限公司变更事项:地址变更前:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更后:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
2020-10-27	授权	授权
2019-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/34 申请日:20190215
2019-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管器件制造方法及薄膜晶体管器件 [P].

曹威 .

中国专利 :CN109148375A ,2019-01-04

[2]

薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 ;

林宏 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103026492B ,2013-04-03

[3]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李一帆 ;

锺享显 .

中国专利 :CN102569416A ,2012-07-11

[4]

薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

岸田悠治 ;

川岛孝启 ;

钟之江有宣 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN102959712A ,2013-03-06

[5]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 [P].

王治 ;

袁广才 ;

关峰 ;

许晨 ;

王学勇 ;

杜建华 ;

李超 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN110972508B ,2020-04-07

[6]

薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法 [P].

田中正信 ;

石原弘嗣 ;

陈海晶 ;

栗原研一 .

中国专利 :CN101931051A ,2010-12-29

[7]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[8]

薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法 [P].

岸田悠治 ;

林宏 ;

川岛孝启 ;

西田健一郎 .

中国专利 :CN103053026A ,2013-04-17

[9]

显示器件、薄膜晶体管、显示器件的制造方法、以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

中野慎太郎 ;

上田知正 ;

三浦健太郎 ;

齐藤信美 ;

坂野龙则 ;

前田雄也 ;

山口一 .

中国专利 :CN104064566A ,2014-09-24

[10]

薄膜晶体管及该薄膜晶体管的制造方法 [P].

宫入秀和 ;

加藤绘里香 ;

铃木邦彦 .

中国专利 :CN101834140A ,2010-09-15

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