薄膜磁传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910007620.7

申请日：

2009-02-12

公开(公告)号：

CN101520493A

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

小山惠史

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

H01F1032

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101033287848 IPC(主分类):G01R 33/09 专利申请号:2009100076207 申请日:20090212
2012-10-10	授权	授权
2009-09-02	公开	公开
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20090212 授权公告日:20121010 终止日期:20190212

共 50 条

[1]

薄膜磁传感器 [P].

小林伸圣 ;

矢野健 ;

大沼繁弘 ;

白川究 ;

增本健 .

中国专利 :CN1394284A ,2003-01-29

[2]

磁传感器 [P].

铃木利尚 ;

佐藤秀树 ;

金子诚 .

中国专利 :CN2600826Y ,2004-01-21

[3]

磁传感器 [P].

铃木利尚 ;

佐藤秀树 ;

金子诚 .

中国专利 :CN1229881C ,2003-05-14

[4]

一种磁传感器 [P].

朱大鹏 ;

李迎港 ;

陈伟斌 ;

郝润润 ;

赵巍胜 ;

冷群文 .

中国专利 :CN111044952A ,2020-04-21

[5]

薄膜磁传感器及其制造方法 [P].

小林伸圣 ;

白川究 ;

金田安司 .

中国专利 :CN1573350A ,2005-02-02

[6]

巨磁电阻传感器 [P].

王林忠 ;

杜军 ;

曾荣伟 ;

肖又专 ;

库万军 .

中国专利 :CN2466665Y ,2001-12-19

[7]

磁传感器芯片以及磁传感器 [P].

曲炳郡 ;

熊伟 .

中国专利 :CN103562739B ,2014-02-05

[8]

磁传感器 [P].

远藤大三 ;

富田浩幸 ;

利根川翔 .

日本专利 :CN117783967A ,2024-03-29

[9]

磁传感器 [P].

山地勇一郎 ;

原川修 ;

龟野诚 .

中国专利 :CN115113113A ,2022-09-27

[10]

磁传感器 [P].

田边圭 .

中国专利 :CN108700637B ,2018-10-23

← 1 2 3 4 5 →