用于相变存储器存储单元的低应力多级读取的方法和多级相变存储器设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910207182.9

申请日：

2009-11-13

公开(公告)号：

CN101908374B

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

F·贝代斯基 C·雷斯塔 M·费拉托

申请人：

申请人地址：

瑞士罗尔

IPC主分类号：

G11C1156

IPC分类号：

G11C1610 G11C1626 G11C1630

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

周建秋;王凤桐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101189528514 IPC(主分类):G11C 11/56 专利申请号:2009102071829 申请日:20091113
2010-12-08	公开	公开
2014-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

相变存储单元及相变存储器 [P].

柳鹏 ;

李群庆 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN102231424A ,2011-11-02

[2]

相变存储单元及相变存储器 [P].

洪红维 ;

黄崇礼 .

中国专利 :CN102270505A ,2011-12-07

[3]

可用于相变存储器多级存储的相变材料 [P].

刘波 ;

宋志棠 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1604210A ,2005-04-06

[4]

相变存储器单元和用于制造相变存储器单元的方法 [P].

P·祖里亚尼 ;

G·孔法洛涅里 ;

A·吉拉尔迪尼 ;

C·L·佩瑞里尼 .

中国专利 :CN107546324A ,2018-01-05

[5]

相变存储器存储单元结构 [P].

孔涛 ;

黄荣 ;

张杰 ;

卫芬芬 ;

程国胜 .

中国专利 :CN203871378U ,2014-10-08

[6]

多级存储器、多级存储器写入方法和多级存储器读取方法 [P].

肥后丰 ;

细见政功 ;

大森广之 ;

别所和宏 ;

浅山徹哉 ;

山根一阳 ;

内田裕行 .

中国专利 :CN104126204A ,2014-10-29

[7]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

黄仕璋 ;

李宜政 ;

刘育宏 .

中国专利 :CN115428159B ,2025-10-03

[8]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

廖昱程 .

中国专利 :CN115443537A ,2022-12-06

[9]

相变存储单元、相变存储器及电子设备 [P].

陈鑫 .

中国专利 :CN114843395A ,2022-08-02

[10]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

黄仕璋 ;

李宜政 ;

刘育宏 .

中国专利 :CN115428159A ,2022-12-02

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