用于半导体发光器件的接触

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610406316.X

申请日：

2010-05-21

公开(公告)号：

CN106057987A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

J.E.埃普勒 A.J.F.戴维德

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3340 H01L3342 H01S5042

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

初媛媛;景军平

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司变更后:亮锐有限责任公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:共同专利权人变更前:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后:皇家飞利浦有限公司
2020-09-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20200828 变更事项:专利权人变更前权利人:亮锐有限责任公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:荷兰史基浦变更事项:共同专利权人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司
2016-10-26	公开	公开
2020-06-16	授权	授权
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688758638 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:201610406316X 申请日:20100521

共 50 条

[1]

用于半导体发光器件的接触 [P].

J.E.埃普勒 ;

A.J.F.戴维德 .

中国专利 :CN102804417A ,2012-11-28

[2]

用于半导体发光器件的反射性接触 [P].

H·K-H·蔡 ;

D·A·斯蒂格瓦尔德 .

中国专利 :CN102084506A ,2011-06-01

[3]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[4]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[5]

半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102822996B ,2012-12-12

[6]

半导体发光器件 [P].

胡弃疾 ;

付宏威 .

中国专利 :CN205542860U ,2016-08-31

[7]

用于半导体发光器件的钝化 [P].

F.S.迪雅纳 ;

H.K-H.朝 ;

Q.莫 ;

S.L.鲁达滋 ;

F.L.韦 ;

D.A.斯泰格瓦尔德 .

中国专利 :CN103069589A ,2013-04-24

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

友田胜宽 .

中国专利 :CN101752488A ,2010-06-23

[9]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[10]

半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P].

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23

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