一种氮化物阻挡层去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710318349.3

申请日：

2017-05-08

公开(公告)号：

CN107134410A

公开(公告)日：

2017-09-05

发明(设计)人：

唐小亮姚邵康陈广龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	公开	公开
2020-07-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/311 申请公布日:20170905
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750781543 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2017103183493 申请日:20170508

共 50 条

[1]

一种金属氮化物阻挡层的制备方法 [P].

王文东 ;

夏洋 ;

李超波 ;

李勇滔 ;

刘训春 .

中国专利 :CN103021931B ,2013-04-03

[2]

一种金属氮化物阻挡层的制备方法 [P].

王文东 ;

夏洋 ;

李超波 ;

李勇滔 ;

刘邦武 ;

刘训春 .

中国专利 :CN102623389A ,2012-08-01

[3]

外延Ⅲ族氮化物中的掺杂阻挡层 [P].

B·D·舒尔茨 ;

A·托拉比 ;

E·M·詹贝斯 ;

S·列扎 ;

W·E·霍克 .

中国专利 :CN107743655A ,2018-02-27

[4]

具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构 [P].

马修·泽维尔·先尼 ;

竹冈忠士 .

中国专利 :CN104733582A ,2015-06-24

[5]

一种制备金属氮化物阻挡层的装置及其使用方法 [P].

王文东 ;

夏洋 ;

李超波 ;

李勇滔 ;

刘邦武 ;

刘训春 .

中国专利 :CN102623311A ,2012-08-01

[6]

一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件 [P].

郑锦坚 ;

张江勇 ;

陈婉君 ;

李晓琴 ;

黄军 ;

蒙磊 .

中国专利 :CN117995960A ,2024-05-07

[7]

一种利用石墨烯阻挡层制备氮化物垂直结构LED的方法 [P].

王新强 ;

刘放 ;

沈波 ;

吴洁君 ;

荣新 ;

郑显通 ;

盛博文 ;

盛珊珊 .

中国专利 :CN110323308A ,2019-10-11

[8]

用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层 [P].

陈祈铭 ;

邱汉钦 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103545348A ,2014-01-29

[9]

氮化物层的制造方法 [P].

马修·查尔斯 ;

居伊·费尔特 ;

罗伊·达格尔 .

中国专利 :CN114725249A ,2022-07-08

[10]

获得氮化物层的方法 [P].

居伊·费尔特 ;

勃朗蒂娜·厄玲 ;

维尔日妮·布兰德利 ;

伯努瓦·马蒂厄 ;

杰西·祖尼加佩雷斯 .

中国专利 :CN111742085B ,2020-10-02

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