沟槽栅型晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880000648.1

申请日：

2008-09-26

公开(公告)号：

CN101542741A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

岛田聪山冈义和藤田和范田部智规

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29739

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	公开	公开
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-09-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20080926 授权公告日:20101117 终止日期:20210926
2010-11-17	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽栅型晶体管及其制造方法 [P].

岛田聪 ;

山冈义和 ;

藤田和范 ;

田部智规 .

中国专利 :CN101584048B ,2009-11-18

[2]

沟槽栅晶体管及其制造 [P].

G·E·J·库普斯 ;

M·A·A·因特赞德特 .

中国专利 :CN100481503C ,2007-03-14

[3]

沟槽栅晶体管及其制造方法 [P].

王培林 ;

E·D·德弗莱萨特 ;

李文漪 .

中国专利 :CN103872122A ,2014-06-18

[4]

沟槽栅功率晶体管及其制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN105470307A ,2016-04-06

[5]

沟槽栅晶体管及其制备方法 [P].

马跃 ;

李玮霖 .

中国专利 :CN118748209A ,2024-10-08

[6]

沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制造方法 [P].

御田村直树 .

中国专利 :CN105428405A ,2016-03-23

[7]

沟槽型DMOS晶体管及其制造方法 [P].

全昌基 .

中国专利 :CN1148274A ,1997-04-23

[8]

屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法 [P].

岳丹诚 ;

冯新 .

中国专利 :CN118280989A ,2024-07-02

[9]

屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法 [P].

何云 .

中国专利 :CN110838448A ,2020-02-25

[10]

沟槽栅功率晶体管及其制造方法 [P].

石磊 .

中国专利 :CN107895737A ,2018-04-10

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