抗辐射加固FPGA芯片中抗单粒子翻转的存储单元电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910078907.9

申请日：

2009-02-27

公开(公告)号：

CN101552034A

公开(公告)日：

2009-10-07

发明(设计)人：

陈雷文治平王雷王慜孙华波李学武刘增荣周涛张帆尚祖宾

申请人：

申请人地址：

100076北京市丰台区东高地四营门北路2号

IPC主分类号：

G11C11412

IPC分类号：

代理机构：

中国航天科技专利中心

代理人：

安丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-07	公开	公开
2012-04-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101330926782 IPC(主分类):G11C 11/412 专利申请号:2009100789079 公开日:20091007

共 50 条

[1]

抗单粒子翻转的存储单元 [P].

郭靖 ;

朱磊 ;

董亮 ;

刘文怡 ;

熊继军 .

中国专利 :CN106847325A ,2017-06-13

[2]

抗单粒子翻转的FPGA三模冗余配置存储单元电路 [P].

屈小钢 ;

魏育成 ;

尹韬 ;

韦援丰 .

中国专利 :CN107833586A ,2018-03-23

[3]

抗辐射加固存储单元电路 [P].

桑红石 ;

王文 ;

张天序 ;

梁巢兵 ;

张静 ;

谢扬 ;

袁雅婧 .

中国专利 :CN103474092B ,2013-12-25

[4]

抗辐射存储单元 [P].

郭靖 ;

朱磊 ;

黄海 ;

刘文怡 ;

熊继军 .

中国专利 :CN107240414A ,2017-10-10

[5]

一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元 [P].

吴利华 ;

于芳 .

中国专利 :CN103093809A ,2013-05-08

[6]

抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的抗辐射加固触发器电路 [P].

张彦龙 ;

王亚坤 ;

李同德 ;

王亮 ;

苑靖爽 ;

王丹 ;

吕曼 ;

李东强 .

中国专利 :CN116545418B ,2025-11-21

[7]

抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路 [P].

刘红侠 ;

刘长俊 ;

王树龙 ;

陈树鹏 .

中国专利 :CN115148255A ,2022-10-04

[8]

抗辐射存储单元 [P].

朱磊 ;

郭靖 ;

董亮 .

中国专利 :CN106847324A ,2017-06-13

[9]

基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片 [P].

胡薇 ;

强斌 ;

彭春雨 ;

卢文娟 ;

赵强 ;

戴成虎 ;

郝礼才 ;

王亚玲 ;

吴秀龙 .

中国专利 :CN115565578B ,2024-04-09

[10]

基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片 [P].

胡薇 ;

强斌 ;

彭春雨 ;

卢文娟 ;

赵强 ;

戴成虎 ;

郝礼才 ;

王亚玲 ;

吴秀龙 .

中国专利 :CN115565578A ,2023-01-03

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