氮化物半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610132281.1

申请日：

1999-03-10

公开(公告)号：

CN1933201A

公开(公告)日：

2007-03-21

发明(设计)人：

谷沢公二三谷友次中河義典高木宏典丸居宏充福田芳克池上武止

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-02	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:19990310 授权公告日:20081015
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-15	授权	授权
2007-03-21	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1941436A ,2007-04-04

[2]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933200A ,2007-03-21

[3]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933199A ,2007-03-21

[4]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1292934A ,2001-04-25

[5]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1881632A ,2006-12-20

[6]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河羲典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN101188266B ,2008-05-28

[7]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1353867A ,2002-06-12

[8]

氮化物半导体元件 [P].

柳本友弥 .

中国专利 :CN1484880A ,2004-03-24

[9]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

菊池友 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN101809763A ,2010-08-18

[10]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

瀧哲也 .

中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10

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