N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820058987.2

申请日：

2008-05-27

公开(公告)号：

CN201263144Y

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

戴忠伟

申请人：

申请人地址：

200030上海市虹桥路333号613室

IPC主分类号：

H03K190185

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

胡美强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-24	授权	授权
2016-08-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738086773 IPC(主分类):H03K 19/0185 专利号:ZL2008200589872 变更事项:专利权人变更前:广芯电子技术(上海)有限公司变更后:广芯电子技术(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室变更后:200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
2012-08-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101441538433 IPC(主分类):H03K 19/0185 专利号:ZL2008200589872 变更事项:专利权人变更前权利人:上海广晶电子科技有限公司变更后权利人:广芯电子技术(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:200030 上海市虹桥路333号613室变更后权利人:200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室登记生效日:20120713
2018-06-19	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H03K 19/0185 申请日:20080527 授权公告日:20090624

共 50 条

[1]

N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路 [P].

戴忠伟 .

中国专利 :CN101594136A ,2009-12-02

[2]

MOS管驱动电路、驱动芯片及电机 [P].

胡术云 ;

崔瑜强 ;

毕磊 ;

毕超 .

中国专利 :CN108512403B ,2018-09-07

[3]

一种MOS管电平转换电路 [P].

请求不公布姓名 ;

孙永康 ;

李建 .

中国专利 :CN223297585U ,2025-09-02

[4]

N型沟道MOS管驱动电路 [P].

张毅 ;

罗来军 ;

黄东亚 .

中国专利 :CN102055452A ,2011-05-11

[5]

高效低成本N沟道MOS管驱动电路 [P].

吴珏 .

中国专利 :CN209488446U ,2019-10-11

[6]

栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路 [P].

徐申 ;

何晓莹 ;

阚明建 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201590755U ,2010-09-22

[7]

一种基于MOS管的电平转换电路 [P].

董济华 .

中国专利 :CN207559972U ,2018-06-29

[8]

一种基于MOS管的电平转换电路 [P].

刘颖异 .

中国专利 :CN213717954U ,2021-07-16

[9]

一种电平转换电路及高边开关管驱动芯片 [P].

张宇锋 ;

林思聪 .

中国专利 :CN222954013U ,2025-06-06

[10]

电平转换电路、电平转换芯片、显示装置及驱动方法 [P].

党康鹏 ;

左丞 ;

陈宏 ;

唐元生 ;

王博 ;

郭雄 ;

罗仲丽 ;

高明 ;

李宽 ;

徐何冰 ;

蒲星宇 .

中国专利 :CN114283756A ,2022-04-05

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