用于在膜应用中二氧化硅结垢抑制的二氧化硅抑垢剂组合物及方法

被引：0

申请号：

CN202080062085.X

申请日：

2020-08-18

公开(公告)号：

CN114340768A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

张兴鹏叶冬颖 J·梅尔泽尔 C·隋蔡乾涛 M·沙玛

申请人：

申请人地址：

美国明尼苏达州

IPC主分类号：

B01D6104

IPC分类号：

B01D6502 B01D6508 C02F508

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李志强;梅黎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01D 61/04 申请日:20200818
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

二氧化硅垢抑制剂 [P].

M·A·托德 .

中国专利 :CN114340766A ,2022-04-12

[2]

用于形成二氧化硅膜的组合物、二氧化硅膜的制造方法和二氧化硅膜 [P].

卢健培 ;

郭泽秀 ;

张俊英 ;

具仑永 ;

金龙国 ;

金真教 ;

裵镇希 ;

司空峻 ;

徐珍雨 ;

沈秀妍 ;

尹熙灿 ;

李知虎 ;

韩权愚 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN111212881A ,2020-05-29

[3]

二氧化硅垢的协同控制 [P].

S·梅塔 ;

B·L·图里尼 .

中国专利 :CN104203841B ,2014-12-10

[4]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN100445336C ,2005-10-05

[5]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 ;

P·布克尔 ;

A·希勒 .

中国专利 :CN103435056A ,2013-12-11

[6]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 .

中国专利 :CN101679771B ,2010-03-24

[7]

二氧化硅 [P].

P·W·斯坦尼尔 .

中国专利 :CN101330897B ,2008-12-24

[8]

二氧化硅组合物 [P].

近藤圭英 ;

白井博明 .

中国专利 :CN103443225B ,2013-12-11

[9]

二氧化硅 [P].

A·阿尔克罗夫特 ;

P·W·施坦尼埃 .

中国专利 :CN1088546A ,1994-06-29

[10]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN1678696A ,2005-10-05

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