高介低损微波介质陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510814781.2

申请日：

2015-11-19

公开(公告)号：

CN105272213A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

唐斌方梓烜孙成礼钟朝位张树人

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B3550

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-15	授权	授权
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647685244 IPC(主分类):C04B 35/462 专利申请号:2015108147812 申请日:20151119
2017-06-09	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752961868 IPC(主分类):C04B 35/462 专利申请号:2015108147812 变更事项:发明人变更前:唐斌;方梓烜;孙成礼;钟朝位;张树人变更后:唐斌;方梓烜;袁颖;孙成礼;钟朝位;张树人
2016-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

高介微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐斌 ;

方梓烜 ;

孙成礼 ;

钟朝位 ;

张树人 .

中国专利 :CN105693235B ,2016-06-22

[2]

低介硅酸镁微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙杰 ;

黄庆焕 ;

叶荣 ;

顾国治 ;

王斌华 .

中国专利 :CN113087507A ,2021-07-09

[3]

一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张星 ;

韩瑜轩 ;

雷权翻 ;

杨启航 .

中国专利 :CN118324527A ,2024-07-12

[4]

微波介质陶瓷材料及制备方法 [P].

唐斌 ;

方梓烜 ;

张星 ;

钟朝位 ;

张树人 .

中国专利 :CN107382305B ,2017-11-24

[5]

一种低温烧结高介微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

邵辉 ;

崔德威 ;

郭荣 ;

简刚 ;

宦钧 .

中国专利 :CN112479704A ,2021-03-12

[6]

Ca-Nd-Ti微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐斌 ;

陈鹤拓 ;

孙成礼 ;

钟朝位 ;

张树人 .

中国专利 :CN105016729A ,2015-11-04

[7]

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张启龙 ;

杨辉 ;

孙慧萍 .

中国专利 :CN101381230A ,2009-03-11

[8]

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张树人 ;

方梓烜 ;

唐斌 .

中国专利 :CN107986774A ,2018-05-04

[9]

AB位同时取代的微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐斌 ;

陈鹤拓 ;

郭霞 ;

钟朝位 ;

张树人 .

中国专利 :CN104844194A ,2015-08-19

[10]

一种低介电微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐莹 ;

苏聪学 ;

方亮 .

中国专利 :CN111517789B ,2020-08-11

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