在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710912237.0

申请日：

2017-09-29

公开(公告)号：

CN107887327A

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

谢瑞龙山下天孝程慷果叶俊呈

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23538

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-06	公开	公开
2021-11-05	授权	授权
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20170929
2021-03-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20210305 变更事项:申请人变更前权利人:格芯公司变更后权利人:格芯(美国)集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州

共 50 条

[1]

垂直晶体管的可变栅极长度 [P].

B·A·安德森 ;

E·诺瓦克 .

中国专利 :CN108292681A ,2018-07-17

[2]

非线性栅极垂直晶体管 [P].

迪帕克·钱德拉·潘迪 ;

许志维 .

:CN118248716A ,2024-06-25

[3]

非线性栅极垂直晶体管 [P].

迪帕克·钱德拉·潘迪 ;

许志维 .

:CN118248715A ,2024-06-25

[4]

形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管 [P].

A·卫 ;

V·斯科勒德 ;

T·沙伊普 ;

T·维尔纳 ;

J·格罗舍普夫 .

中国专利 :CN102263061A ,2011-11-30

[5]

垂直式双栅极绝缘晶体管 [P].

江守权 ;

陈政广 .

中国专利 :CN223503285U ,2025-10-31

[6]

多个背栅极晶体管 [P].

T·B·霍克 ;

R·A·费尔普斯 ;

A·K·斯坦珀 ;

R·A·卡米略-卡斯蒂略 .

中国专利 :CN107342258B ,2017-11-10

[7]

自对准栅极后制III‑N晶体管 [P].

H·W·田 ;

S·达斯古普塔 ;

S·M·宋 ;

S·加德纳 ;

M·拉多萨夫列维奇 ;

R·周 .

中国专利 :CN107078157A ,2017-08-18

[8]

多重栅极晶体管 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2751447Y ,2006-01-11

[9]

双栅极晶体管 [P].

梁中瑜 ;

甘丰源 ;

张鼎张 .

中国专利 :CN1885563A ,2006-12-27

[10]

多栅极晶体管 [P].

拉杜·亚历山德鲁·斯波雷亚 ;

伊娃·拜斯特林克 .

中国专利 :CN113678262A ,2021-11-19

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