共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
独立散热器单元（大功率MOSFET）
被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN201130459070.0
申请日：
2011-12-06
公开(公告)号：
CN301995430S
公开(公告)日：
2012-07-18
发明(设计)人：
淡博
李金录
宋士红
申请人：
申请人地址：
150076 黑龙江省哈尔滨市道里区康安二道街6号
IPC主分类号：
1302
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-07-18 | 授权 | 授权 |