带有集成肖特基势垒二极管的沟槽MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210337069.4

申请日：

2012-09-13

公开(公告)号：

CN103022156B

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

高立德苏毅金钟五常虹哈姆扎·依玛兹伍时谦

申请人：

申请人地址：

美国，加利福尼亚94085，桑尼维尔，奥克米德公园道475号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2706 H01L2978

代理机构：

上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249

代理人：

张静洁;徐雯琼

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/872 登记生效日:20200424 变更事项:专利权人变更前权利人:万国半导体股份有限公司变更后权利人:万国半导体国际有限合伙公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号变更后权利人:加拿大安大略省
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448950241 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2012103370694 申请日:20120913
2013-04-03	公开	公开
2015-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基势垒二极管 [P].

宫崎爱子 ;

荒川贵博 ;

川上友之 ;

小林悟史 .

日本专利 :CN118016697A ,2024-05-10

[2]

沟槽栅肖特基势垒二极管 [P].

张志群 ;

张峰 .

中国专利 :CN103413836A ,2013-11-27

[3]

肖特基势垒二极管 [P].

佐佐木公平 ;

胁本大树 ;

小石川结树 ;

韶光秀 .

中国专利 :CN110326115B ,2019-10-11

[4]

肖特基势垒二极管 [P].

泷沢胜 ;

仓又朗人 .

中国专利 :CN110233178A ,2019-09-13

[5]

肖特基势垒二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

平林润 ;

佐佐木公平 .

日本专利 :CN112913034B ,2024-02-23

[6]

肖特基势垒二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

平林润 ;

佐佐木公平 .

中国专利 :CN112913034A ,2021-06-04

[7]

肖特基势垒二极管 [P].

泷沢胜 ;

仓又朗人 .

中国专利 :CN103918082A ,2014-07-09

[8]

肖特基势垒二极管 [P].

大冢文雄 .

日本专利 :CN117766590A ,2024-03-26

[9]

肖特基势垒二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

平林润 ;

佐佐木公平 .

中国专利 :CN112913035A ,2021-06-04

[10]

肖特基势垒二极管 [P].

前山雄介 ;

大泽良平 ;

荒木克隆 ;

渡部善之 .

中国专利 :CN102683430A ,2012-09-19

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