半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910009768.4

申请日：

2009-01-21

公开(公告)号：

CN101499623B

公开(公告)日：

2009-08-05

发明(设计)人：

大塚健一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S510

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-05	公开	公开
2009-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-13	授权	授权
2016-03-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101650102862 IPC(主分类):H01S 5/10 专利号:ZL2009100097684 申请日:20090121 授权公告日:20110713 终止日期:20150121

共 50 条

[1]

半导体激光器 [P].

国政文枝 .

中国专利 :CN1851991A ,2006-10-25

[2]

半导体激光器和半导体激光器装置 [P].

弗兰克·辛格 ;

诺温·文马尔姆 ;

蒂尔曼·鲁戈海默 ;

托马斯·基佩斯 .

中国专利 :CN108141008A ,2018-06-08

[3]

半导体激光器 [P].

伊藤启司 ;

木户口勋 ;

高山彻 ;

今藤修 .

中国专利 :CN1574526A ,2005-02-02

[4]

半导体激光器 [P].

上田哲生 ;

粂雅博 ;

河田敏也 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN1677777A ,2005-10-05

[5]

半导体激光器 [P].

杨冰 ;

袁俊 .

中国专利 :CN217281626U ,2022-08-23

[6]

半导体激光器 [P].

斯文·格哈德 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

克莱门斯·菲尔海利希 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

克里斯托夫·艾克勒 .

中国专利 :CN111431030B ,2020-07-17

[7]

半导体激光器 [P].

武富优绮 .

日本专利 :CN118805311A ,2024-10-18

[8]

半导体激光器 [P].

中村厚 .

美国专利 :CN120109645A ,2025-06-06

[9]

半导体激光器 [P].

斯文·格哈德 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

克莱门斯·菲尔海利希 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

克里斯托夫·艾克勒 .

中国专利 :CN108141010A ,2018-06-08

[10]

半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 [P].

多田健太郎 ;

远藤健司 ;

深谷一夫 ;

奥田哲朗 ;

小林正英 .

中国专利 :CN101820135A ,2010-09-01

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