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一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610107438.9
申请日
:
2016-02-26
公开(公告)号
:
CN105714379B
公开(公告)日
:
2016-06-29
发明(设计)人
:
毕磊
张燕
王闯堂
邓龙江
申请人
:
申请人地址
:
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
:
C30B2928
IPC分类号
:
C30B2300
代理机构
:
电子科技大学专利中心 51203
代理人
:
张杨
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-06-29
公开
公开
2016-07-27
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671894656 IPC(主分类):C30B 29/28 专利申请号:2016101074389 申请日:20160226
2018-07-27
授权
授权
共 50 条
[1]
一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用
[P].
潘丽宁
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潘丽宁
;
周婷婷
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周婷婷
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谭果果
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谭果果
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满其奎
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满其奎
.
中国专利
:CN115323494A
,2022-11-11
[2]
钇铁石榴石薄膜材料及制备方法
[P].
张怀武
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张怀武
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杨青慧
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杨青慧
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刘颖力
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刘颖力
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文岐业
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文岐业
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李元勋
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李元勋
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张艳霞
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张艳霞
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贾利军
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贾利军
.
中国专利
:CN101148753A
,2008-03-26
[3]
基于石英衬底的掺杂钇铁石榴石薄膜脉冲激光沉积方法
[P].
沈涛
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沈涛
;
代海龙
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代海龙
.
中国专利
:CN106498352A
,2017-03-15
[4]
一种钇铁石榴石薄膜及其制备方法
[P].
董显林
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董显林
;
郭新
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郭新
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陈莹
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陈莹
;
王根水
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王根水
.
中国专利
:CN104193316A
,2014-12-10
[5]
一种钇铁石榴石薄膜的外延生长方法
[P].
王学锋
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王学锋
;
陈业全
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陈业全
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钮伟
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钮伟
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徐永兵
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徐永兵
;
张荣
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张荣
.
中国专利
:CN106048726B
,2016-10-26
[6]
钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法
[P].
董显林
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董显林
;
连建芸
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连建芸
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陈莹
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陈莹
;
王根水
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王根水
.
中国专利
:CN105331942A
,2016-02-17
[7]
钇铁石榴石薄膜结构及制备方法
[P].
杨青慧
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杨青慧
;
张怀武
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张怀武
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刘颖力
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刘颖力
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文岐业
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文岐业
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李元勋
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李元勋
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贾利军
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贾利军
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唐晓莉
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唐晓莉
.
中国专利
:CN101311374B
,2008-11-26
[8]
一种利用液相外延制备稀土掺杂钇铁石榴石薄膜的方法
[P].
罗毅
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机构:
安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
罗毅
;
龚瑞
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机构:
安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
龚瑞
;
赵建华
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机构:
安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
赵建华
.
中国专利
:CN119041012A
,2024-11-29
[9]
一种Si基钇铁石榴石薄膜的制备方法
[P].
王旭亮
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王旭亮
;
阎文博
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阎文博
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李菲菲
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李菲菲
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李少北
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李少北
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樊博麟
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樊博麟
.
中国专利
:CN108239768A
,2018-07-03
[10]
一种生长稀土掺杂钇铁石榴石单晶材料的方法
[P].
龙西法
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龙西法
;
杨晓明
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杨晓明
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苏榕冰
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苏榕冰
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何超
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何超
;
王祖建
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王祖建
.
中国专利
:CN114182339A
,2022-03-15
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