钽酸锂晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480005133.2

申请日：

2004-03-05

公开(公告)号：

CN100424235C

公开(公告)日：

2006-03-29

发明(设计)人：

盐野嘉幸

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C30B2930

IPC分类号：

C30B3302 H01L41187 H01L4124

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫;颜薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-08	授权	授权
2006-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

钽酸锂晶体的制造装置和钽酸锂晶体的制造方法 [P].

干川圭吾 ;

小林拓实 ;

大叶悦子 .

中国专利 :CN107858753A ,2018-03-30

[2]

一种掺铁钽酸锂晶体的制造方法 [P].

徐秋峰 ;

张寒贫 ;

张忠伟 ;

张伟明 ;

张鸿 ;

陈晓强 ;

陈超 .

中国专利 :CN106192007A ,2016-12-07

[3]

一种钽酸锂晶体的制备方法 [P].

王彪 ;

朱允中 ;

马德才 .

中国专利 :CN104163454A ,2014-11-26

[4]

一种钽酸锂晶体基片黑化方法 [P].

沈浩 ;

顾潇威 ;

凡勇 .

中国专利 :CN108060459A ,2018-05-22

[5]

钽酸锂晶体极化方法和装置 [P].

孟宪林 ;

徐炳超 ;

孙友轩 .

中国专利 :CN1030622A ,1989-01-25

[6]

钽酸锂基板及其制造方法 [P].

梶谷富男 ;

角田隆 .

中国专利 :CN100348785C ,2006-11-01

[7]

钽酸锂基板及其制造方法 [P].

梶谷富男 ;

角田隆 .

中国专利 :CN1856597A ,2006-11-01

[8]

钽酸锂基板及其制造方法 [P].

梶谷富男 ;

角田隆 .

中国专利 :CN100351436C ,2006-11-01

[9]

一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 [P].

姚志炎 ;

沈浩 ;

归欢焕 ;

朱海瀛 ;

顾潇威 .

中国专利 :CN106048735B ,2016-10-26

[10]

钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 [P].

赵广军 ;

万育仁 ;

杨胜裕 ;

姚诗凯 .

中国专利 :CN105463581B ,2016-04-06

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