发光二极管

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专利类型
发明
申请号
CN200710072946.9
申请日
2007-01-12
公开(公告)号
CN101222009A
公开(公告)日
2008-07-16
发明(设计)人
许振丰 金国藩 范守善
申请人
申请人地址
100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管 [P]. 
金钟奎 ;
李晓罗 ;
石昊埈 ;
慎镇哲 .
中国专利 :CN105529343B ,2016-04-27
[2]
发光二极管 [P]. 
金每恞 ;
李剡劤 ;
尹馀镇 ;
李珍雄 ;
柳龙禑 .
中国专利 :CN107690712B ,2018-02-13
[3]
发光二极管 [P]. 
吴世熙 ;
金每恞 ;
李剡劤 ;
梁明学 ;
尹馀镇 .
中国专利 :CN107256877B ,2017-10-17
[4]
发光二极管 [P]. 
吴世熙 ;
金每恞 ;
李剡劤 ;
梁明学 ;
尹馀镇 .
中国专利 :CN204167323U ,2015-02-18
[5]
发光二极管 [P]. 
吴世熙 ;
金每恞 ;
李剡劤 ;
梁明学 ;
尹馀镇 .
中国专利 :CN104377218A ,2015-02-25
[6]
发光二极管以及包括该发光二极管的灯丝发光二极管灯 [P]. 
李剡劤 .
中国专利 :CN108538985A ,2018-09-14
[7]
发光二极管以及包括该发光二极管的灯丝发光二极管灯 [P]. 
李剡劤 .
中国专利 :CN206727099U ,2017-12-08
[8]
发光二极管和发光二极管的制造方法 [P]. 
郭度英 ;
和田胜 ;
具滋铭 ;
金恩惠 ;
朴相武 ;
杨善雅 ;
吴旼燮 ;
李胤石 ;
赵莹炅 .
韩国专利 :CN112771682B ,2024-11-12
[9]
发光二极管和发光二极管的制造方法 [P]. 
郭度英 ;
和田胜 ;
具滋铭 ;
金恩惠 ;
朴相武 ;
杨善雅 ;
吴旼燮 ;
李胤石 ;
赵莹炅 .
中国专利 :CN112771682A ,2021-05-07
[10]
发光二极管和发光二极管模块 [P]. 
蔡钟炫 ;
卢元英 ;
李俊燮 ;
姜珉佑 ;
张锺敏 ;
金贤儿 ;
裴善敏 ;
徐大雄 .
中国专利 :CN204167351U ,2015-02-18