Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780035629.8

申请日：

2007-09-26

公开(公告)号：

CN101517759A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

横山泰典酒井浩光三木久幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101525194991 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007800356298 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130129
2009-08-26	公开	公开
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯 [P].

三木久幸 ;

塙健三 ;

佐佐木保正 .

中国专利 :CN101506946B ,2009-08-12

[2]

Ⅲ族氮化物化合物半导体元件及其制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

加治亘章 ;

横山泰典 ;

酒井浩光 .

中国专利 :CN101578715A ,2009-11-11

[3]

第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件 [P].

上村俊也 ;

堀内茂美 .

中国专利 :CN1309099C ,2004-07-14

[4]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101853909A ,2010-10-06

[5]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101542756A ,2009-09-23

[6]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

三木久幸 ;

横山泰典 ;

冈部健彦 ;

塙健三 .

中国专利 :CN102113140A ,2011-06-29

[7]

第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件 [P].

浅见慎也 ;

渡边大志 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1315199C ,2004-09-08

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

加治亘章 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101689592B ,2010-03-31

[9]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 ;

永井诚二 .

中国专利 :CN100421213C ,2005-06-29

[10]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

泷哲也 ;

生川满久 ;

青木真登 ;

奥野浩司 ;

丰田优介 ;

西岛和树 ;

山田修平 .

中国专利 :CN1819288A ,2006-08-16

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