金属垫的形成方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310232232.5

申请日：

2013-06-09

公开(公告)号：

CN104241146B

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

郭晓清徐俊龚春雷吕乐周真

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23485

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595680600 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2013102322325 申请日:20130609
2014-12-24	公开	公开
2017-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

甘露 ;

郑春生 ;

师兰芳 ;

张文广 ;

张华 .

中国专利 :CN113496874B ,2024-04-19

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN113497145B ,2024-03-29

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

甘露 ;

郑春生 ;

师兰芳 ;

张文广 ;

张华 .

中国专利 :CN113496874A ,2021-10-12

[4]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

周步康 .

中国专利 :CN110875240B ,2024-09-13

[5]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN113497145A ,2021-10-12

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

周步康 .

中国专利 :CN110875240A ,2020-03-10

[7]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

曹新满 ;

吴耆贤 ;

黄炜 .

中国专利 :CN117995758A ,2024-05-07

[8]

连接垫的形成方法及半导体结构 [P].

吴玉雷 .

中国专利 :CN115588609A ,2023-01-10

[9]

半导体结构及形成方法 [P].

朱佳 ;

魏兰英 ;

李洋 .

中国专利 :CN120018567A ,2025-05-16

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN103367232A ,2013-10-23

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