高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98107577.0

申请日：

1998-04-19

公开(公告)号：

CN1063733C

公开(公告)日：

1999-10-27

发明(设计)人：

陈湘明徐峥谊杨敬思

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市玉古路20号

IPC主分类号：

C04B3546

IPC分类号：

H01B312

代理机构：

浙江大学专利代理事务所

代理人：

韩介梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-10-27	公开	公开
1998-09-23	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2001-03-28	授权	授权
2005-06-22	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

高介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

杨敬思 .

中国专利 :CN1067360C ,1999-03-24

[2]

高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

岳振星 ;

马志宇 ;

郭蔚嘉 ;

骆宇 ;

陈雨谷 .

中国专利 :CN113666737A ,2021-11-19

[3]

高介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

秦霓 .

中国专利 :CN1415580A ,2003-05-07

[4]

低温烧结的高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

张为军 ;

白书欣 ;

堵永国 ;

刘卓峰 ;

陈兴宇 .

中国专利 :CN103467083A ,2013-12-25

[5]

一种高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

张美沛 .

中国专利 :CN103803971A ,2014-05-21

[6]

温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

张为军 ;

刘卓峰 ;

白书欣 ;

堵永国 ;

陈兴宇 .

中国专利 :CN103467097A ,2013-12-25

[7]

高介电常数低损耗微波介质陶瓷 [P].

郑兴华 .

中国专利 :CN1648101A ,2005-08-03

[8]

高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

赵晶 ;

郭锐 ;

王洪茹 .

中国专利 :CN1975939A ,2007-06-06

[9]

低介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

易磊 .

中国专利 :CN102020456A ,2011-04-20

[10]

低温烧结的高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和应用 [P].

吉岸 ;

金镇龙 ;

张彬 .

中国专利 :CN117534459A ,2024-02-09

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