一种新型光MOS继电器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410442738.3
申请日
2014-09-02
公开(公告)号
CN104184445A
公开(公告)日
2014-12-03
发明(设计)人
阳琳玲
申请人
申请人地址
361000 福建省厦门市湖里区悦华路117号A8-802室
IPC主分类号
H03K17785
IPC分类号
代理机构
厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207
代理人
钟毅虹
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种新型光MOS继电器 [P]. 
阳琳玲 .
中国专利 :CN204103887U ,2015-01-14
[2]
一种新型高压光MOS继电器 [P]. 
阳琳玲 .
中国专利 :CN206272591U ,2017-06-20
[3]
一种新型SSR固态继电器 [P]. 
阳琳玲 .
中国专利 :CN104935319A ,2015-09-23
[4]
一种新型SSR固态继电器 [P]. 
阳琳玲 .
中国专利 :CN204794947U ,2015-11-18
[5]
低能耗光MOS继电器 [P]. 
吴坤 .
中国专利 :CN205693645U ,2016-11-16
[6]
光MOS固体继电器 [P]. 
王亚萍 ;
丁东民 .
中国专利 :CN118199602A ,2024-06-14
[7]
一种模拟光MOS继电器 [P]. 
刘增露 ;
张仁富 .
中国专利 :CN115347890A ,2022-11-15
[8]
一种具有抗干扰能力的光MOS继电器 [P]. 
李晓娇 ;
李强 ;
蹇兰 .
中国专利 :CN216751705U ,2022-06-14
[9]
一种模拟光MOS继电器 [P]. 
刘增露 ;
张仁富 .
中国专利 :CN115347890B ,2025-12-30
[10]
一种多组数塑封光MOS继电器 [P]. 
刘亚锋 ;
张国明 ;
杨姣 ;
梁海梅 .
中国专利 :CN223553313U ,2025-11-14