碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780084634.1

申请日：

2017-10-03

公开(公告)号：

CN110214362A

公开(公告)日：

2019-09-06

发明(设计)人：

和田圭司堀勉伊东洋典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2120 H01L21336 H01L2912 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;王海川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20171003
2019-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅衬底、碳化硅外延衬底以及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

椎原贵洋 ;

冲田恭子 .

日本专利 :CN121127635A ,2025-12-12

[2]

碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

宫濑贵也 ;

堀勉 .

中国专利 :CN112074928A ,2020-12-11

[3]

碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

伊东洋典 ;

和田圭司 ;

堀勉 .

中国专利 :CN110214363A ,2019-09-06

[4]

碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

神原健司 ;

伊东洋典 ;

堀勉 .

日本专利 :CN112470255B ,2024-03-19

[5]

碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀勉 .

中国专利 :CN109791879A ,2019-05-21

[6]

碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

神原健司 ;

伊东洋典 ;

堀勉 .

中国专利 :CN112470255A ,2021-03-09

[7]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[8]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05

[9]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[10]

碳化硅外延衬底、制造碳化硅外延衬底的方法、制造碳化硅半导体器件的方法、碳化硅生长装置和碳化硅生长装置部件 [P].

玄番润 ;

西口太郎 ;

土井秀之 ;

松岛彰 .

中国专利 :CN105579625A ,2016-05-11

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