铁电氧化物锆钛酸铅介质反射膜片及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510030796.6

申请日：

2005-10-27

公开(公告)号：

CN100392511C

公开(公告)日：

2006-04-26

发明(设计)人：

胡古今戴宁

申请人：

申请人地址：

200083上海市玉田路500号

IPC主分类号：

G02F119

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

郭英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-12-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101591754021 IPC(主分类):G02F 1/19 专利号:ZL2005100307966 申请日:20051027 授权公告日:20080604 终止日期:20131027
2006-04-26	公开	公开
2008-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

锆钛酸铅反射膜片及制备方法 [P].

胡古今 ;

戴宁 .

中国专利 :CN100424524C ,2005-03-02

[2]

锆钛酸铅介质反射膜系及制备方法 [P].

胡古今 ;

戴宁 .

中国专利 :CN100424525C ,2005-03-02

[3]

氧化物增韧多孔锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法 [P].

刘炜 ;

王延忠 ;

黄金 ;

杨金龙 ;

董英鸽 ;

常青 ;

胡胜亮 .

中国专利 :CN103739285B ,2014-04-23

[4]

微粒锆钛酸铅、锆钛水合物和钛酸锆及其制备方法 [P].

格哈德·奥尔 ;

霍斯特·贡内尔 ;

弗兰克·希普勒 ;

米夏埃尔·J·霍夫曼 ;

苏珊·瓦格纳 ;

汉斯·孔格尔 .

中国专利 :CN101098828A ,2008-01-02

[5]

添加氧化镱的反铁电锆钛酸铅电介质陶瓷 [P].

马卫兵 ;

肖飞 ;

孙清池 ;

张林 .

中国专利 :CN102285796A ,2011-12-21

[6]

锆钛酸铅－铁酸钴厚膜的制备方法 [P].

翟继卫 ;

莫伟锋 ;

尚飞 .

中国专利 :CN101514475A ,2009-08-26

[7]

一种锆钛酸铅/钌酸锶铁电超晶格材料及其制备方法 [P].

王占杰 ;

何斌 .

中国专利 :CN106058039A ,2016-10-26

[8]

制备铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷的B位氧化物前驱体方法 [P].

孙清池 ;

张丽 ;

马卫兵 ;

孔德钱 .

中国专利 :CN101941840B ,2011-01-12

[9]

一种铁、镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷及其制备方法 [P].

孙清池 ;

王洪杰 ;

马卫兵 ;

王耐清 .

中国专利 :CN102432289A ,2012-05-02

[10]

锆钛酸铅纳米粉体的制备方法 [P].

徐刚 ;

韩高荣 ;

任召辉 .

中国专利 :CN1803710A ,2006-07-19

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