一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810214293.1
申请日
2018-03-15
公开(公告)号
CN108358630B
公开(公告)日
2018-08-03
发明(设计)人
王根水 边峰 闫世光 徐晨洪 毛朝梁 董显林 曹菲
申请人
申请人地址
200050 上海市长宁区定西路1295号
IPC主分类号
C04B35493
IPC分类号
C04B35622
代理机构
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261
代理人
曹芳玲;郑优丽
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
罗能能 ;
何霞凤 ;
陈贞谷 ;
岑侦勇 .
中国专利 :CN119490361B ,2025-06-17
[2]
一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
罗能能 ;
何霞凤 ;
陈贞谷 ;
岑侦勇 .
中国专利 :CN119490361A ,2025-02-21
[3]
一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
王根水 ;
徐晨洪 ;
刘振 ;
陈学锋 ;
董显林 ;
曹菲 .
中国专利 :CN105198416B ,2015-12-30
[4]
一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
叶作光 ;
高攀 ;
庄建 ;
张楠 ;
任巍 .
中国专利 :CN106699173B ,2017-05-24
[5]
一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
周开珍 .
中国专利 :CN107602121A ,2018-01-19
[6]
一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
陈骏 ;
祁核 ;
陈良 .
中国专利 :CN114804870A ,2022-07-29
[7]
高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
翟继卫 ;
黄凯威 ;
葛广龙 ;
沈波 .
中国专利 :CN111995391A ,2020-11-27
[8]
一种高储能密度PLZT基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 [P]. 
闫世光 ;
曹菲 ;
陈学锋 ;
王根水 ;
董显林 .
中国专利 :CN109665839B ,2019-04-23
[9]
一种反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
翟继卫 ;
黄凯威 ;
葛广龙 ;
沈波 .
中国专利 :CN110342925A ,2019-10-18
[10]
一种高储能密度温度稳定性PLZT反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
闫世光 ;
曹菲 ;
陈学锋 ;
王根水 ;
董显林 .
中国专利 :CN111499384B ,2020-08-07