晶片真空吸附模板

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620059674.3

申请日：

2016-01-21

公开(公告)号：

CN205342779U

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

夏秋良

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢1楼南

IPC主分类号：

B24B3730

IPC分类号：

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;张涛

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B24B 37/30 变更事项:专利权人变更前:苏州新美光纳米科技有限公司变更后:新美光（苏州）半导体科技有限公司变更事项:地址变更前:215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢1楼南变更后:215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路188号方正科技园北区C幢103
2016-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

晶片真空吸附模板及方法 [P].

夏秋良 .

中国专利 :CN105619240A ,2016-06-01

[2]

晶片真空吸附装置 [P].

贾月明 ;

周占福 ;

周立庆 ;

艾博 ;

董晴晴 ;

许向阳 .

中国专利 :CN110124908B ,2019-08-16

[3]

真空吸附平台以及真空吸附系统 [P].

金皙哲 .

中国专利 :CN207240005U ,2018-04-17

[4]

真空吸附平台及真空吸附系统 [P].

张敏亮 ;

刘琦 ;

杨德天 ;

朱瑞 ;

王哲 .

中国专利 :CN209266384U ,2019-08-16

[5]

真空吸附平台及真空吸附系统 [P].

胡志平 ;

易伟华 .

中国专利 :CN203738636U ,2014-07-30

[6]

一种真空吸附钻模板 [P].

周大 ;

刘彦汝 .

中国专利 :CN211162079U ,2020-08-04

[7]

真空吸附台面及具有该真空吸附台面的真空吸附台 [P].

朱兴华 ;

苏新虹 .

中国专利 :CN201931454U ,2011-08-17

[8]

真空吸附头、真空吸附装置以及真空贴合设备 [P].

黄奕宏 .

中国专利 :CN205478852U ,2016-08-17

[9]

真空吸附装置 [P].

白胜胜 ;

张鹏 ;

吕建彬 ;

李超 .

中国专利 :CN209298279U ,2019-08-23

[10]

真空吸附平台 [P].

刘灿 ;

柴进 ;

隆清德 ;

彭建林 .

中国专利 :CN221066198U ,2024-06-04

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