包括掺杂的多晶陶瓷光学器件的量子存储器系统和量子中继器系统及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780042701.3

申请日：

2017-05-12

公开(公告)号：

CN109415201B

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

J·A·布朗 T·D·凯查姆 D·A·诺兰 W·塞钠拉特纳 J·杨 H·张

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

C04B35486

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

姬利永;钱慰民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	公开	公开
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B82Y 10/00 申请日:20170512
2022-05-31	授权	授权

共 50 条

[1]

包括多信道量子中继器的量子通信系统 [P].

N·A·卡利提夫斯基 ;

F·D·基谢廖夫 ;

M·穆勒耶奈克 .

美国专利 :CN114342313B ,2024-12-06

[2]

包括多信道量子中继器的量子通信系统 [P].

N·A·卡利提夫斯基 ;

F·D·基谢廖夫 ;

M·穆勒耶奈克 .

中国专利 :CN114342313A ,2022-04-12

[3]

掺杂稀土的金属氧化物陶瓷波导量子存储器及其制造方法 [P].

B·G·艾特肯 ;

S·M·加纳 ;

T·D·凯査姆 ;

D·A·诺兰 ;

杨俊 ;

张海涛 .

中国专利 :CN112753072A ,2021-05-04

[4]

量子模数互转换器中的量子中继器 [P].

G.弗登-阿克扎姆 .

中国专利 :CN114503461A ,2022-05-13

[5]

光学中继器、光学中继器的制造方法和光学信号的中继方法 [P].

见上聪 ;

爱德华多·马特奥罗德里格斯 .

中国专利 :CN111886759A ,2020-11-03

[6]

量子中继器以及用于创建扩展纠缠的系统和方法 [P].

K·A·哈里森 ;

W·蒙罗 ;

K·根本 .

中国专利 :CN102577225A ,2012-07-11

[7]

具有中继器件的存储器元件 [P].

L-S·刘 ;

M·T·阐 ;

徐彦忠 ;

I·拉希姆 ;

J·T·瓦特 .

中国专利 :CN103137188A ,2013-06-05

[8]

存储器件、制造存储器件的方法和包括其的存储器系统 [P].

姚兰 ;

陈赫 .

中国专利 :CN114999998A ,2022-09-02

[9]

存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统 [P].

卢峰 ;

张磊 ;

霍宗亮 ;

周文斌 ;

阳涵 ;

黄攀 ;

徐文祥 ;

夏正亮 .

中国专利 :CN115020328A ,2022-09-06

[10]

存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统 [P].

张磊 ;

卢峰 ;

霍宗亮 ;

周文斌 ;

阳涵 ;

黄攀 ;

徐文祥 ;

夏正亮 .

中国专利 :CN115036266A ,2022-09-09

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