大直径铌酸锂单晶生长设备及工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN85104969

申请日：

1985-06-25

公开(公告)号：

CN85104969A

公开(公告)日：

1987-01-07

发明(设计)人：

马传玺孔宝国赵军令张国宾周亭亭

申请人：

申请人地址：

上海市新华路365弄6号

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B1514 C30B1536 C30B2930

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1987-01-07	公开	公开
1988-08-10	被视为撤回的申请	被视为撤回的申请

共 50 条

[1]

铌酸锂单晶、铌酸锂单晶的制造方法以及AR眼镜 [P].

山木亮太 ;

小见利行 .

日本专利 :CN121195093A ,2025-12-23

[2]

近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法及装置 [P].

柳祝平 ;

黄小卫 ;

王有明 .

中国专利 :CN102485976A ,2012-06-06

[3]

一种铌酸锂单晶棒生长提拉系统 [P].

徐国忠 .

中国专利 :CN207685404U ,2018-08-03

[4]

近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法 [P].

徐军 ;

王海丽 ;

周圣明 ;

张连翰 ;

杭寅 ;

周国清 ;

赵广军 ;

司继良 .

中国专利 :CN1485469A ,2004-03-31

[5]

一种钽酸锂单晶生长设备 [P].

徐国忠 ;

王斌 ;

仇如成 .

中国专利 :CN205474100U ,2016-08-17

[6]

一种钽酸锂单晶生长设备 [P].

徐国忠 ;

王斌 ;

仇如成 .

中国专利 :CN105696068A ,2016-06-22

[7]

铌酸锂单晶基板的制造方法 [P].

梶谷富男 .

中国专利 :CN108138357A ,2018-06-08

[8]

铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P].

梶谷富男 .

中国专利 :CN107636214B ,2018-01-26

[9]

铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P].

梶谷富男 .

中国专利 :CN107636212A ,2018-01-26

[10]

一种铌酸锂单晶的制备方法 [P].

徐国忠 ;

王斌 ;

仇如成 .

中国专利 :CN105839178A ,2016-08-10

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