半导体装置以及半导体装置的测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610594012.0

申请日：

2016-07-26

公开(公告)号：

CN106549008B

公开(公告)日：

2017-03-29

发明(设计)人：

佐藤忠彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2348 H01L2166

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

万捷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	公开	公开
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20160726
2021-03-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置以及测量方法 [P].

岩佐洋助 .

中国专利 :CN104075821A ,2014-10-01

[2]

半导体装置以及半导体装置的位置偏离测量方法 [P].

高桥巧 .

日本专利 :CN119725323A ,2025-03-28

[3]

半导体装置测量方法 [P].

伊藤智章 .

中国专利 :CN105842601A ,2016-08-10

[4]

半导体装置、测量系统以及测量方法 [P].

上原辉昭 .

日本专利 :CN110547798B ,2024-02-27

[5]

半导体装置、测量系统以及测量方法 [P].

上原辉昭 .

中国专利 :CN110547798A ,2019-12-10

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小汲泰一 .

中国专利 :CN108364924A ,2018-08-03

[7]

半导体测量装置及半导体测量方法 [P].

山田惠三 ;

高荣旭 .

中国专利 :CN101356635B ,2009-01-28

[8]

半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

大野裕孝 .

中国专利 :CN105914203A ,2016-08-31

[9]

半导体装置、成像装置以及制造半导体装置的方法 [P].

渡部刚 ;

中山浩和 ;

重田博幸 ;

涩江人志 ;

小林宽隆 ;

晴山耕佑 .

中国专利 :CN113544842A ,2021-10-22

[10]

半导体装置以及半导体装置用壳体 [P].

小松康佑 .

中国专利 :CN107622979A ,2018-01-23

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