用于形成电阻器和电容器的多层构造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680005749.9

申请日：

2006-02-15

公开(公告)号：

CN101194326A

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

J·A·安德雷萨基斯 P·K·普拉马尼克 B·马勒 D·布兰德勒

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01G408

IPC分类号：

H01C112

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘锴;韦欣华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01G 4/08 登记生效日:20190221 变更事项:专利权人变更前权利人:奥克-三井有限公司变更后权利人:三井金属矿业株式会社变更事项:地址变更前权利人:美国纽约州变更后权利人:日本东京都品川区大崎1丁目11番1号变更事项:共同专利权人变更前权利人:奥美加科技公司变更后权利人:奥美加科技公司
2008-06-04	公开	公开
2011-04-27	授权	授权
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造用于电阻器和电容器的多层结构的方法 [P].

J·A·安德雷萨基斯 ;

P·K·普拉马尼克 .

中国专利 :CN101501795A ,2009-08-05

[2]

电阻器以及带电阻器的电容器 [P].

杉本宪治 ;

宫本裕史 ;

永井良二 .

中国专利 :CN109961913A ,2019-07-02

[3]

用于微调电阻器和电容器的方法和装置 [P].

A·奇卡利尼 .

中国专利 :CN101496278A ,2009-07-29

[4]

包括MIM电容器和电阻器的器件 [P].

洪振翔 ;

褚立新 ;

赖佳平 ;

曾仲铨 .

中国专利 :CN115360164A ,2022-11-18

[5]

集成的薄膜电阻器和MIM电容器 [P].

C·迪内克尔 .

中国专利 :CN106463507B ,2017-02-22

[6]

包括MIM电容器和电阻器的器件 [P].

洪振翔 ;

褚立新 ;

赖佳平 ;

曾仲铨 .

中国专利 :CN109786356A ,2019-05-21

[7]

多层电容器和用于制造多层电容器的方法 [P].

M.肖斯曼 ;

G.恩格尔 ;

S.奥伯迈尔 ;

B.德尔加斯特 ;

M.科伊尼 ;

J.康拉德 .

中国专利 :CN104781894B ,2015-07-15

[8]

用于片式多层陶瓷电容器和片式多层压敏电阻器的包封体 [P].

王倩倩 ;

章锦泰 .

中国专利 :CN201196910Y ,2009-02-18

[9]

电容器与电阻器的复合结构 [P].

马卓宁 .

中国专利 :CN2706847Y ,2005-06-29

[10]

工艺不变电阻器和电容器对 [P].

宋超 ;

黄旭浩 ;

M·佩德拉利-诺伊 .

中国专利 :CN111108620A ,2020-05-05

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