阴离子表面活性剂及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410428241.6
申请日
2014-08-27
公开(公告)号
CN105368427B
公开(公告)日
2016-03-02
发明(设计)人
沈之芹 李应成 王辉辉 吴国英 李斌
申请人
申请人地址
100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号
IPC主分类号
C09K8584
IPC分类号
C08G65338
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
双亲水头基阴离子表面活性剂及其制备方法 [P]. 
沈之芹 ;
李应成 ;
吴春芳 ;
何良好 .
中国专利 :CN105368426B ,2016-03-02
[2]
阴离子表面活性剂 [P]. 
G.阿罕塞特 ;
S.龙 ;
B.格拉迪 ;
J.哈维尔 ;
于光哲 .
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[3]
双生阴离子表面活性剂及其制备方法 [P]. 
郭丽梅 ;
武首香 .
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[4]
双子阴离子表面活性剂及其制备方法 [P]. 
郭丽梅 ;
熊开琴 .
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[5]
阴离子表面活性剂粉粒 [P]. 
松元树 ;
野元秀利 ;
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[6]
驱油用阴离子表面活性剂及其制备方法 [P]. 
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顾全荣 ;
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[7]
糖基阴离子表面活性剂及其制备方法和应用 [P]. 
蒋双泽 ;
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迟启富 ;
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[8]
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李云 ;
戴畅 ;
齐本坤 ;
李志涛 ;
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代旭焕 ;
方菲 ;
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[9]
粒状阴离子表面活性剂的制备方法 [P]. 
合田尚 ;
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三好一仁 .
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[10]
阴离子表面活性剂组合物 [P]. 
袁志武 ;
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王宝 ;
单量红 .
中国专利 :CN108403463B ,2018-08-17