半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010420663.4

申请日：

2020-05-18

公开(公告)号：

CN113690138A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

张海洋苏博

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	公开	公开
2021-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200518

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘晓阳 .

中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

神兆旭 ;

李阳 ;

郭俊伟 ;

尹悦 .

中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李智 ;

张小燕 ;

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN117525111A ,2024-02-06

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

邢程 ;

王清蕴 .

中国专利 :CN113314490A ,2021-08-27

[5]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

于业笑 .

中国专利 :CN113964089B ,2024-05-17

[7]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN113675089B ,2024-09-17

[8]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

张静 .

中国专利 :CN113497142A ,2021-10-12

[9]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN117897819A ,2024-04-16

[10]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

于海龙 ;

荆学珍 ;

张浩 ;

郑春生 .

中国专利 :CN114496981A ,2022-05-13

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