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用于改进离子注入均匀性的离子束扫描系统和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200580027218.5
申请日
:
2005-06-06
公开(公告)号
:
CN101002294A
公开(公告)日
:
2007-07-18
发明(设计)人
:
B·范德贝里
A·雷
K·温策尔
申请人
:
申请人地址
:
美国马萨诸塞州
IPC主分类号
:
H01J37317
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
刘红;王忠忠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-03-27
授权
授权
2007-09-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-18
公开
公开
共 50 条
[1]
离子束扫描控制方法和用于均匀注入离子的系统
[P].
V·本维尼斯特
论文数:
0
引用数:
0
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0
V·本维尼斯特
;
W·迪弗吉利奥
论文数:
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0
W·迪弗吉利奥
;
P·凯勒曼
论文数:
0
引用数:
0
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0
P·凯勒曼
.
中国专利
:CN101124650A
,2008-02-13
[2]
用于离子注入系统的离子束角度测量系统和方法
[P].
布赖恩·弗瑞尔
论文数:
0
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0
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0
布赖恩·弗瑞尔
;
亚历山大·普瑞尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
亚历山大·普瑞尔
.
中国专利
:CN101361160A
,2009-02-04
[3]
提高离子注入系统中磁扫描离子束一致性的方法
[P].
爱德华·艾伊斯勒
论文数:
0
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0
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0
爱德华·艾伊斯勒
;
伯·范德伯格
论文数:
0
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0
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0
伯·范德伯格
.
中国专利
:CN105869978B
,2016-08-17
[4]
静电扫描器、离子注入系统以及用于处理离子束的方法
[P].
法兰克·辛克莱
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0
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0
法兰克·辛克莱
;
约瑟·C·欧尔森
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0
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约瑟·C·欧尔森
;
艾德沃·W·比尔
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艾德沃·W·比尔
;
大尼尔·菲德门
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大尼尔·菲德门
.
中国专利
:CN105340052B
,2016-02-17
[5]
扫描离子束的改善均匀性
[P].
爱德华·艾伊斯勒
论文数:
0
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爱德华·艾伊斯勒
;
安迪·雷
论文数:
0
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安迪·雷
;
伯·范德伯格
论文数:
0
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0
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0
伯·范德伯格
.
中国专利
:CN103477416A
,2013-12-25
[6]
离子注入方法和离子注入系统
[P].
爱德华·艾伊斯勒
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0
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0
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爱德华·艾伊斯勒
;
伯·范德伯格
论文数:
0
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0
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0
伯·范德伯格
.
中国专利
:CN102884607B
,2013-01-16
[7]
扫描离子注入系统中原位离子束电流的监测与控制
[P].
阿尔弗雷德·哈林
论文数:
0
引用数:
0
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0
阿尔弗雷德·哈林
.
中国专利
:CN109643628A
,2019-04-16
[8]
离子注入均匀性调节方法
[P].
周璇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
周璇
.
中国专利
:CN120911114A
,2025-11-07
[9]
用于离子注入的混合扫描系统及方法
[P].
唐纳德·W·伯里安
论文数:
0
引用数:
0
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唐纳德·W·伯里安
;
约翰·D·波洛克
论文数:
0
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0
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约翰·D·波洛克
;
约翰·W·范德波特
论文数:
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0
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0
约翰·W·范德波特
.
中国专利
:CN1500284A
,2004-05-26
[10]
一种用带状离子束注入工件的离子注入系统
[P].
陈炯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
芯嵛半导体(上海)有限公司
芯嵛半导体(上海)有限公司
陈炯
.
中国专利
:CN221747156U
,2024-09-20
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