纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210002294.2

申请日：

2012-01-05

公开(公告)号：

CN102569515B

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

王如志曲铭浩严辉张铭王波宋雪梅朱满康侯育冬刘晶冰汪浩

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310216 H01L31055 B82Y2000

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

刘萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-06	授权	授权
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324741015 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012100022942 申请日:20120105
2012-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法 [P].

王如志 ;

曲铭浩 ;

严辉 ;

张铭 ;

王波 ;

宋雪梅 ;

朱满康 ;

侯育冬 ;

刘晶冰 ;

汪浩 .

中国专利 :CN102321476A ,2012-01-18

[2]

一种近红外量子剪裁纳米材料的制备方法 [P].

郑志强 ;

林林 ;

王哲哲 ;

冯卓宏 ;

郑标 ;

林慧 .

中国专利 :CN109135732A ,2019-01-04

[3]

用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

白帆 ;

余航 .

中国专利 :CN102299207A ,2011-12-28

[4]

一种超疏水的金字塔‑硅纳米线复合陷光结构及其制备方法 [P].

王波 ;

李青柳 ;

严辉 ;

张铭 ;

王如志 ;

宋雪梅 ;

侯育冬 ;

朱满康 ;

刘晶冰 ;

汪浩 .

中国专利 :CN103500769B ,2014-01-08

[5]

金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法 [P].

郑标 ;

王军 ;

黄春雷 ;

杨威 ;

李玉良 .

中国专利 :CN111682085B ,2020-09-18

[6]

一种利用银纳米柱阵列结构增强近红外量子剪裁的方法 [P].

郑标 ;

王军 ;

李玉良 .

中国专利 :CN109256435B ,2019-01-22

[7]

近红外量子剪裁下转换发光透明玻璃陶瓷及其制备方法 [P].

林航 ;

陈大钦 ;

余运龙 ;

王元生 .

中国专利 :CN102515550A ,2012-06-27

[8]

一种制备具有正金字塔/倒金字塔复合结构硅片的方法 [P].

朱雨富 ;

周雷 ;

林岳宾 ;

刘磊 ;

董育伟 ;

姜海林 ;

周广宏 .

中国专利 :CN109378363A ,2019-02-22

[9]

钨酸盐近红外量子剪裁材料及其制备方法与应用 [P].

孙家跃 ;

杜海燕 ;

曹纯 .

中国专利 :CN102424750B ,2012-04-25

[10]

近红外量子剪裁下转换发光透明玻璃陶瓷及其制备方法和用途 [P].

陈大钦 ;

王元生 ;

余运龙 ;

黄萍 .

中国专利 :CN101618945A ,2010-01-06

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