一种纳米级硅酸镥闪烁粉体的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310656947.3
申请日
2013-12-06
公开(公告)号
CN103695001B
公开(公告)日
2014-04-02
发明(设计)人
冯召东 秦秀波 魏龙 刘宇
申请人
申请人地址
100039 北京市石景山区玉泉路19号乙中国科学院高能物理研究所中子厅
IPC主分类号
C09K1179
IPC分类号
C01B3320 B82Y4000 B82Y3000
代理机构
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260
代理人
郑立明;陈亮
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
制备纳米级硅酸镥多晶闪烁陶瓷粉体的方法 [P]. 
严明 ;
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[2]
一种新的闪烁硅酸铋粉体的制备方法 [P]. 
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许亚琴 ;
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[3]
铈掺杂硅酸镥球形发光粉体及其制备方法 [P]. 
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[4]
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曹丽云 ;
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[5]
纳米级包膜粉体及其制备方法 [P]. 
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[6]
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王秀峰 ;
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江红涛 ;
许亚琴 .
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[7]
一种硅酸铋纳米粉体的制备方法 [P]. 
王秀峰 ;
许亚琴 ;
江红涛 ;
鲁俊雀 .
中国专利 :CN102275942A ,2011-12-14
[8]
一种纳米级复合氧化物粉体的制备方法、应用 [P]. 
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陈红 ;
刘建伟 .
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[9]
Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 [P]. 
施鹰 ;
云平 ;
谢建军 ;
周鼎 ;
邱华军 .
中国专利 :CN101367526B ,2009-02-18
[10]
一种纳米级碳化硅粉体的制备方法 [P]. 
王淑贤 .
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