MEMS压电扬声器及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201810081204.0
申请日
2018-01-26
公开(公告)号
CN110085735A
公开(公告)日
2019-08-02
发明(设计)人
李俊红
申请人
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区新站工业物流园内A组团E宿舍楼15幢
IPC主分类号
H01L4108
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
曹玲柱
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
MEMS压电扬声器及其制备方法 [P]. 
李俊红 .
中国专利 :CN110085735B ,2024-08-02
[2]
MEMS压电扬声器 [P]. 
李俊红 .
中国专利 :CN207993902U ,2018-10-19
[3]
MEMS压电扬声器及其制备方法 [P]. 
黄湘俊 ;
朱莉莉 ;
石正雨 .
中国专利 :CN117499848A ,2024-02-02
[4]
具有软支撑结构的MEMS压电扬声器及其制备方法 [P]. 
李俊红 .
中国专利 :CN110087173A ,2019-08-02
[5]
具有软支撑结构的MEMS压电扬声器及其制备方法 [P]. 
李俊红 .
中国专利 :CN110087173B ,2025-02-07
[6]
MEMS压电扬声器 [P]. 
沈宇 ;
但强 ;
周一苇 ;
李杨 .
中国专利 :CN115567856A ,2023-01-03
[7]
MEMS压电扬声器 [P]. 
黄湘俊 ;
朱莉莉 ;
石正雨 .
中国专利 :CN223157226U ,2025-07-25
[8]
MEMS压电扬声器及其加工方法 [P]. 
吴清清 ;
黄景泽 ;
高传海 ;
效烨辉 .
中国专利 :CN115412814A ,2022-11-29
[9]
具有软支撑结构的MEMS压电扬声器 [P]. 
李俊红 .
中国专利 :CN207926919U ,2018-09-28
[10]
压电MEMS智能扬声器制备方法 [P]. 
黄飚 .
中国专利 :CN119562197B ,2025-09-23