磁传感器及磁传感器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980080046.X

申请日：

2019-10-21

公开(公告)号：

CN113167840A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

筱龙德远藤大三

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G01R3302

IPC分类号：

H01L4300

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军;唐峥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/02 申请日:20191021
2021-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

磁传感器及磁传感器的制造方法 [P].

远藤大三 ;

筱龙德 ;

坂胁彰 ;

利根川翔 ;

渡边恭成 .

中国专利 :CN114761816A ,2022-07-15

[2]

磁传感器及磁传感器的制造方法 [P].

筱龙德 ;

远藤大三 .

日本专利 :CN113167840B ,2024-09-10

[3]

磁传感器及磁传感器的制造方法 [P].

远藤大三 ;

筱龙德 ;

大桥荣久 .

中国专利 :CN112930483A ,2021-06-08

[4]

磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法 [P].

远藤大三 .

中国专利 :CN111373276A ,2020-07-03

[5]

磁传感器及磁传感器的制造方法 [P].

远藤大三 .

中国专利 :CN110678768A ,2020-01-10

[6]

磁传感器 [P].

远藤大三 ;

富田浩幸 ;

利根川翔 .

日本专利 :CN117783967A ,2024-03-29

[7]

磁传感器 [P].

远藤大三 ;

筱龙德 ;

坂胁彰 ;

利根川翔 ;

渡边恭成 .

日本专利 :CN113906303B ,2025-07-18

[8]

磁传感器 [P].

远藤大三 ;

筱龙德 ;

坂胁彰 ;

利根川翔 ;

渡边恭成 .

中国专利 :CN113906303A ,2022-01-07

[9]

磁传感器 [P].

远藤大三 ;

坂胁彰 .

中国专利 :CN114690086A ,2022-07-01

[10]

磁传感器 [P].

远藤大三 ;

坂胁彰 .

中国专利 :CN115128519A ,2022-09-30

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