一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111137630.X

申请日：

2021-09-27

公开(公告)号：

CN113735595A

公开(公告)日：

2021-12-03

发明(设计)人：

张明徐宝龙崔凯权刘海英杭晨李文辉

申请人：

申请人地址：

150078 黑龙江省哈尔滨市道里区东湖街18号

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

C04B35622 C04B35638 C04B3564

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

李红媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	公开	公开
2021-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20210927

共 50 条

[1]

高热导率氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

宋晓超 ;

张天宇 ;

何东 ;

张天舒 .

中国专利 :CN106747474A ,2017-05-31

[2]

一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

管晶 ;

宋索成 ;

管甲锁 ;

李世佳 .

中国专利 :CN111362704A ,2020-07-03

[3]

一种高热导率氮化硅基板及其制备方法 [P].

刘立新 ;

何家壅 ;

莫丽东 .

中国专利 :CN119504267A ,2025-02-25

[4]

一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

李寅生 ;

尹自强 ;

任全兴 ;

安赛 ;

阎硕 ;

黄敏杰 ;

黄庆 .

中国专利 :CN120794645A ,2025-10-17

[5]

一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法 [P].

曾宇平 ;

王为得 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚冬旭 ;

尹金伟 ;

梁汉琴 .

中国专利 :CN109851369B ,2019-06-07

[6]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[7]

高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

宁晓山 ;

张洁 ;

滕甫 .

中国专利 :CN101100388A ,2008-01-09

[8]

一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

叶枫 ;

杨春萍 ;

张标 ;

叶健 ;

刘强 ;

高晔 ;

叶凯 .

中国专利 :CN108585881A ,2018-09-28

[9]

一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

杨大胜 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN110483060B ,2019-11-22

[10]

一种超高热导率氮化硅基板及其制备方法 [P].

刘立新 ;

何家壅 .

中国专利 :CN119504268A ,2025-02-25

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