离子注入方法及离子注入装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310028336.4

申请日：

2013-01-24

公开(公告)号：

CN103227087B

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

二宫史郎冈本泰治弓山敏男越智昭浩

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J37317

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;王英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	公开	公开
2023-01-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/317 申请日:20130124 授权公告日:20170426 终止日期:20220124
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595112902 IPC(主分类):H01J 37/317 专利申请号:2013100283364 申请日:20130124
2017-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

月原光国 .

中国专利 :CN115020175A ,2022-09-06

[2]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

刘小辉 ;

於成星 ;

张和 ;

周静兰 ;

刘修忠 ;

沈保家 ;

李军辉 .

中国专利 :CN112885688B ,2021-06-01

[3]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

佐藤正辉 .

中国专利 :CN103811585A ,2014-05-21

[4]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

二宫史郎 ;

工藤哲也 .

中国专利 :CN102832092B ,2012-12-19

[5]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

工藤哲也 ;

越智昭浩 .

中国专利 :CN102693903A ,2012-09-26

[6]

离子注入设备、离子注入装置 [P].

廖祥华 ;

贺金良 ;

余懍智 ;

杨树鑫 .

中国专利 :CN223552495U ,2025-11-14

[7]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

越智昭浩 ;

木村靖彦 ;

冈本泰治 ;

弓山敏男 .

中国专利 :CN102723252A ,2012-10-10

[8]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

松下浩 ;

大北义明 .

中国专利 :CN108987225B ,2018-12-11

[9]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

石桥和久 .

中国专利 :CN112349573A ,2021-02-09

[10]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

山口干夫 ;

石桥和久 ;

工藤哲也 .

中国专利 :CN114914141A ,2022-08-16

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