用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010531612.9
申请日
2020-06-11
公开(公告)号
CN112210824A
公开(公告)日
2021-01-12
发明(设计)人
朴钟辉 甄明玉 高上基 具甲烈 金政圭 沈钟珉 张炳圭 崔正宇
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
C30B2300
IPC分类号
C30B2936 C23C1406 C23C1424
代理机构
成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258
代理人
魏彦
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P]. 
堂本千秋 ;
正木克明 ;
柴田和也 ;
山口恵彥 ;
上山大辅 .
中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14
[2]
碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统 [P]. 
朴钟辉 ;
梁殷寿 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN113512759A ,2021-10-19
[3]
碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统 [P]. 
张炳圭 ;
朴钟辉 ;
梁殷寿 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN113512758A ,2021-10-19
[4]
碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统 [P]. 
张炳圭 ;
朴钟辉 ;
梁殷寿 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN113512758B ,2024-07-05
[5]
碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统 [P]. 
朴钟辉 ;
梁殷寿 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN113512759B ,2024-04-05
[6]
碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
李演湜 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04
[7]
碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
李演湜 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31
[8]
碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P]. 
佐佐木信 ;
西口太郎 .
中国专利 :CN103476975A ,2013-12-25
[9]
碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
甄明玉 ;
沈钟珉 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112695384A ,2021-04-23
[10]
碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统 [P]. 
朴钟辉 ;
甄明玉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112746314A ,2021-05-04