半导体存储器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN98124682.6
申请日
1998-10-07
公开(公告)号
CN1159765C
公开(公告)日
1999-05-05
发明(设计)人
角南英夫 伊藤清男 田寿一 中里和郎 水田博
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王永刚
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
高光永 .
中国专利 :CN101640204A ,2010-02-03
[2]
半导体存储器件、半导体器件及其制造方法 [P]. 
岩田浩 ;
小仓孝之 ;
柴田晃秀 .
中国专利 :CN1574366A ,2005-02-02
[3]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
金承焕 .
中国专利 :CN115472608A ,2022-12-13
[4]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
金钟雨 ;
肖德元 .
中国专利 :CN101154666B ,2008-04-02
[5]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
孙龙勋 ;
金哉勋 ;
朴光浩 ;
郑承宰 .
中国专利 :CN112992902A ,2021-06-18
[6]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
林世润 ;
崔殷硕 .
中国专利 :CN102646678B ,2012-08-22
[7]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
平野有一 ;
一法师隆志 ;
前川繁登 ;
新居浩二 .
中国专利 :CN101202292A ,2008-06-18
[8]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
神田昌彦 .
中国专利 :CN1395306A ,2003-02-05
[9]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
平野有一 ;
一法师隆志 ;
前川繁登 ;
新居浩二 .
中国专利 :CN101202249A ,2008-06-18
[10]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
孙龙勋 ;
金哉勋 ;
朴光浩 ;
郑承宰 .
韩国专利 :CN112992902B ,2025-10-03