单分散多孔二氧化硅球材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810280786.5

申请日：

2018-04-02

公开(公告)号：

CN108439420B

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

赵东元朱洪伟刘玉普

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区科园路1008号软件产业基地1栋C1201

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

合肥道正企智知识产权代理有限公司 34130

代理人：

武金花

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	授权	授权
2022-05-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C01B 33/18 登记生效日:20220425 变更事项:专利权人变更前权利人:深圳元颉新材料科技有限公司变更后权利人:元颉新材料科技（浙江）有限公司变更事项:地址变更前权利人:518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区科园路1008号软件产业基地1栋C1201 变更后权利人:314000 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区金牛路28号5-2号
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20180402
2018-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单分散多孔二氧化硅球材料的制备方法 [P].

赵东元 ;

朱洪伟 ;

刘玉普 .

中国专利 :CN110627075A ,2019-12-31

[2]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[3]

多孔二氧化硅粒子 [P].

A·J·菲尼曼 ;

J·E·P·霍格布鲁姆 ;

N·A·J·M·索默迪克 ;

H·弗里德里希 .

中国专利 :CN112010319A ,2020-12-01

[4]

多孔二氧化硅粒子 [P].

A·J·菲尼曼 ;

J·E·P·霍格布鲁姆 ;

N·A·J·M·索默迪克 ;

H·弗里德里希 .

:CN112010319B ,2024-06-14

[5]

多孔二氧化硅 [P].

张士福 ;

杨运信 ;

张丽斌 ;

宋朝红 ;

姚喆 ;

查晓钟 ;

秦群英 .

中国专利 :CN101885488B ,2010-11-17

[6]

单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法 [P].

赵东元 ;

朱洪伟 ;

刘玉普 .

中国专利 :CN109368648A ,2019-02-22

[7]

微米级单分散多孔二氧化硅微球及其制备方法 [P].

陈磊 ;

霍志霞 ;

万谦宏 .

中国专利 :CN109399648B ,2019-03-01

[8]

介孔二氧化硅纳米半球材料的制备方法 [P].

赵东元 ;

朱洪伟 ;

刘玉普 .

中国专利 :CN108439419A ,2018-08-24

[9]

一种单分散多孔二氧化硅微球的制备方法 [P].

戴李宗 ;

余世荣 ;

袁丛辉 ;

罗伟昂 ;

毛杰 ;

许一婷 ;

陈国荣 ;

曾碧榕 .

中国专利 :CN104909378A ,2015-09-16

[10]

一种单分散多孔二氧化硅微球的制备方法 [P].

童海贝 ;

段宏利 ;

方晗峰 ;

曲刚 .

中国专利 :CN119100407A ,2024-12-10

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