一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610435778.4

申请日：

2016-06-17

公开(公告)号：

CN107516650A

公开(公告)日：

2017-12-26

发明(设计)人：

陈静何伟伟罗杰馨王曦

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L218244

IPC分类号：

H01L2711 H01L29423

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

刘星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	公开	公开
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8244 申请日:20160617
2021-01-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8244 申请公布日:20171226

共 50 条

[1]

一种基于SOI的双端口SRAM单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN107516659A ,2017-12-26

[2]

一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

伍青青 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN105551518A ,2016-05-04

[3]

一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

伍青青 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN105489608A ,2016-04-13

[4]

一种SOI单端口静态随机存储器单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952914A ,2017-07-14

[5]

一种SOI双端口静态随机存储器单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952916A ,2017-07-14

[6]

一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952917A ,2017-07-14

[7]

一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952912A ,2017-07-14

[8]

一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952913A ,2017-07-14

[9]

一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952915A ,2017-07-14

[10]

SRAM单元及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103022038B ,2013-04-03

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