一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710092022.9

申请日：

2017-02-21

公开(公告)号：

CN106746724B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

王金敏左月朱俊宇

申请人：

申请人地址：

201209 上海市浦东新区金海路2360号

IPC主分类号：

C03C1734

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

王洁平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2019-11-12	授权	授权
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729167013 IPC(主分类):C03C 17/34 专利申请号:2017100920229 申请日:20170221

共 50 条

[1]

一种纳米氧化钼电致变色薄膜的制备方法 [P].

伍媛婷 .

中国专利 :CN108424004A ,2018-08-21

[2]

一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法 [P].

赵九蓬 ;

王晶 ;

李垚 ;

李娜 ;

张秋明 .

中国专利 :CN104528828A ,2015-04-22

[3]

一种纳米有机复合氧化钼电致变色薄膜的制备方法 [P].

伍媛婷 .

中国专利 :CN108424006A ,2018-08-21

[4]

一种钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法 [P].

王宏志 ;

辜为民 ;

刘学龙 ;

张青红 ;

李耀刚 ;

侯成义 ;

林改 .

中国专利 :CN111747657A ,2020-10-09

[5]

一种高效变色丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法 [P].

王宏志 ;

辜为民 ;

刘学龙 ;

张青红 ;

李耀刚 ;

侯成义 ;

林改 .

中国专利 :CN111704365A ,2020-09-25

[6]

一种丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法 [P].

王宏志 ;

辜为民 ;

刘学龙 ;

张青红 ;

李耀刚 ;

侯成义 ;

林改 .

中国专利 :CN107098596B ,2017-08-29

[7]

一种纳米结构电致变色薄膜的制备方法 [P].

王宏志 ;

辜为民 ;

刘学龙 ;

张青红 ;

李耀刚 ;

侯成义 ;

林改 .

中国专利 :CN111646705A ,2020-09-11

[8]

氧化镍纳米电致变色薄膜及其制备方法 [P].

刘锦淮 ;

孟凡利 ;

王连超 ;

孙宇峰 ;

黄行九 ;

皮宗新 .

中国专利 :CN1528855A ,2004-09-15

[9]

用于制备电致变色薄膜的材料、电致变色薄膜及其制备方法和电致变色器件 [P].

王诗铭 ;

周璐 ;

李国栋 ;

石鑫 ;

杨惠 ;

任乾硕 ;

韩东 ;

王明明 ;

陈明震 ;

刘超 .

中国专利 :CN118956016A ,2024-11-15

[10]

用于制备电致变色薄膜的材料、电致变色薄膜及其制备方法和电致变色器件 [P].

王诗铭 ;

周璐 ;

李国栋 ;

石鑫 ;

杨惠 ;

任乾硕 ;

韩东 ;

王明明 ;

陈明震 ;

刘超 .

中国专利 :CN118956016B ,2025-01-24

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