氧化镓晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910706502.9

申请日：

2019-07-31

公开(公告)号：

CN110571274B

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

龙世兵吴枫

申请人：

申请人地址：

230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2924 H01L2134

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

鄢功军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	授权	授权
2019-12-13	公开	公开
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190731

共 50 条

[1]

一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

周选择 ;

徐光伟 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN115410922A ,2022-11-29

[2]

氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

刘宏宇 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

梁士雄 ;

谭鑫 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110808212A ,2020-02-18

[3]

一种氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

曾凡明 ;

葛琪 ;

汪青 .

中国专利 :CN112885893A ,2021-06-01

[4]

一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

刘宏宇 ;

宋旭波 ;

梁士雄 ;

马春雷 ;

付兴昌 ;

冯志红 .

中国专利 :CN111180398B ,2020-05-19

[5]

氮化镓晶体管及其制造方法 [P].

逯永建 ;

吴贵阳 ;

肖金平 ;

贾利芳 ;

闻永祥 ;

李东昇 .

中国专利 :CN111477682A ,2020-07-31

[6]

氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

付兴昌 ;

宋旭波 ;

田秀伟 ;

梁士雄 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110164769A ,2019-08-23

[7]

氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

付兴昌 ;

宋旭波 ;

田秀伟 ;

梁士雄 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110223920A ,2019-09-10

[8]

一种氧化镓基底场效应晶体管及其制备方法 [P].

龙世兵 ;

董航 ;

何启鸣 ;

刘明 .

中国专利 :CN107331607B ,2017-11-07

[9]

晶体管及其制备方法 [P].

万青 ;

胡钰晴 .

中国专利 :CN119907267A ,2025-04-29

[10]

晶体管及其制备方法 [P].

陈显平 ;

李万杰 ;

王黎明 ;

张旭 ;

罗厚彩 ;

王少刚 .

中国专利 :CN111524972A ,2020-08-11

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