一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910376316.3
申请日
2019-05-07
公开(公告)号
CN110161085A
公开(公告)日
2019-08-23
发明(设计)人
张覃轶 姚志伟
申请人
申请人地址
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
IPC主分类号
G01N2712
IPC分类号
代理机构
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102
代理人
乔宇
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于表面二氧化硅改性的高选择性二氧化锡气体传感器 [P]. 
张覃轶 ;
孟鑫 .
中国专利 :CN110186960A ,2019-08-30
[2]
二氧化硅 [P]. 
于尔根·迈尔 ;
斯特凡妮·弗拉恩 ;
曼弗雷德·埃特林格 .
中国专利 :CN100445336C ,2005-10-05
[3]
二氧化硅 [P]. 
P·W·斯坦尼尔 .
中国专利 :CN101330897B ,2008-12-24
[4]
二氧化硅 [P]. 
J·迈尔 ;
M·肖尔茨 ;
P·布克尔 ;
A·希勒 .
中国专利 :CN103435056A ,2013-12-11
[5]
二氧化硅 [P]. 
J·迈尔 ;
M·肖尔茨 .
中国专利 :CN101679771B ,2010-03-24
[6]
二氧化硅 [P]. 
A·阿尔克罗夫特 ;
P·W·施坦尼埃 .
中国专利 :CN1088546A ,1994-06-29
[7]
二氧化硅 [P]. 
于尔根·迈尔 ;
斯特凡妮·弗拉恩 ;
曼弗雷德·埃特林格 .
中国专利 :CN102002274A ,2011-04-06
[8]
二氧化硅 [P]. 
于尔根·迈尔 ;
斯特凡妮·弗拉恩 ;
曼弗雷德·埃特林格 .
中国专利 :CN1678696A ,2005-10-05
[9]
二氧化硅粒子 [P]. 
西村仁希 ;
小野勇二 ;
芝崎将一 .
中国专利 :CN110461768B ,2019-11-15
[10]
二氧化硅合成 [P]. 
西德哈里森·维杰·帕沃德汗 ;
约瑟夫·理查德·亨利·曼宁 .
中国专利 :CN108290746A ,2018-07-17