晶体硅太阳能电池钝化膜

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201020166511.8
申请日
2010-04-20
公开(公告)号
CN201655813U
公开(公告)日
2010-11-24
发明(设计)人
吴国强
申请人
申请人地址
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
IPC主分类号
H01L310216
IPC分类号
H01L31042 H01L3118
代理机构
常州市维益专利事务所 32211
代理人
王凌霄
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法 [P]. 
吴国强 .
中国专利 :CN102237433A ,2011-11-09
[2]
晶体硅太阳能电池 [P]. 
夏正月 ;
任常瑞 ;
张满良 ;
高艳涛 ;
陶龙忠 ;
张斌 ;
邢国强 .
中国专利 :CN203325915U ,2013-12-04
[3]
晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构 [P]. 
盛健 ;
张淳 .
中国专利 :CN203562433U ,2014-04-23
[4]
晶体硅太阳能电池的钝化方法 [P]. 
邓伟伟 ;
冯志强 .
中国专利 :CN102364696A ,2012-02-29
[5]
晶体硅太阳能电池减反射钝化膜 [P]. 
徐世贵 ;
王立建 ;
李潘剑 .
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[6]
一种双面钝化晶体硅太阳能电池 [P]. 
赵华飞 .
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[7]
晶体硅太阳能电池 [P]. 
叶海英 ;
韩璐 ;
韩国庆 .
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[8]
晶体硅太阳能电池 [P]. 
范维涛 ;
勾宪芳 ;
姜利凯 ;
王鹏 ;
宋爱珍 ;
曹华斌 .
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[9]
晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构 [P]. 
盛健 ;
张淳 .
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[10]
晶体硅太阳能电池钝化装置 [P]. 
陈培良 ;
任常瑞 ;
符黎明 .
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